AQX IRF7416TRPBF புதிய மற்றும் அசல் ஒருங்கிணைந்த சர்க்யூட் ஐசி சிப் IRF7416TRPBF

தயாரிப்பு பண்புக்கூறுகள்

ஆவணங்கள் & மீடியா

சுற்றுச்சூழல் மற்றும் ஏற்றுமதி வகைப்பாடுகள்

கூடுதல் வளங்கள்

IRF7416

நன்மைகள்
பரந்த SOAக்கான பிளானர் செல் அமைப்பு
விநியோகக் கூட்டாளர்களிடமிருந்து பரந்த அளவில் கிடைக்கும் வகையில் மேம்படுத்தப்பட்டது
JEDEC தரநிலையின்படி தயாரிப்பு தகுதி
<100KHzக்குக் கீழே மாறக்கூடிய பயன்பாடுகளுக்கு சிலிக்கான் மேம்படுத்தப்பட்டது
தொழில்துறை நிலையான மேற்பரப்பு-மவுண்ட் பவர் பேக்கேஜ்
அலை சாலிடர் செய்யும் திறன் கொண்டது
SO-8 தொகுப்பில் -30V சிங்கிள் பி-சேனல் ஹெக்ஸ்ஃபெட் பவர் மோஸ்ஃபெட்
நன்மைகள்
RoHS இணக்கமானது
குறைந்த RDS (ஆன்)
தொழில்துறையில் முன்னணி தரம்
டைனமிக் dv/dt மதிப்பீடு
வேகமாக மாறுதல்
முழுமையாக பனிச்சரிவு மதிப்பிடப்பட்டது
175°C இயக்க வெப்பநிலை
பி-சேனல் MOSFET

டிரான்சிஸ்டர்

டிரான்சிஸ்டர் என்பது ஏகுறைக்கடத்தி சாதனம்பயன்படுத்தப்பட்டதுபெருக்கிஅல்லதுசொடுக்கிமின் சமிக்ஞைகள் மற்றும்சக்தி.டிரான்சிஸ்டர் நவீனத்தின் அடிப்படை கட்டுமானத் தொகுதிகளில் ஒன்றாகும்மின்னணுவியல்.[1]இது இயற்றப்பட்டதுகுறைக்கடத்தி பொருள், பொதுவாக குறைந்தது மூன்றுமுனையங்கள்எலக்ட்ரானிக் சர்க்யூட் இணைப்புக்கு.ஏமின்னழுத்தம்அல்லதுதற்போதையஒரு ஜோடி டிரான்சிஸ்டரின் டெர்மினல்களில் பயன்படுத்தப்படும், மற்றொரு ஜோடி டெர்மினல்கள் மூலம் மின்னோட்டத்தைக் கட்டுப்படுத்துகிறது.கட்டுப்படுத்தப்பட்ட (வெளியீடு) சக்தி கட்டுப்படுத்தும் (உள்ளீடு) சக்தியை விட அதிகமாக இருப்பதால், ஒரு டிரான்சிஸ்டர் ஒரு சமிக்ஞையை பெருக்க முடியும்.சில டிரான்சிஸ்டர்கள் தனித்தனியாக தொகுக்கப்பட்டன, ஆனால் இன்னும் பல உட்பொதிக்கப்பட்டவைஒருங்கிணைந்த சுற்றுகள்.

ஆஸ்ட்ரோ-ஹங்கேரிய இயற்பியலாளர் ஜூலியஸ் எட்கர் லிலியன்ஃபெல்ட்ஒரு கருத்தை முன்மொழிந்தார்புல விளைவு டிரான்சிஸ்டர்1926 இல், ஆனால் அந்த நேரத்தில் உண்மையில் வேலை செய்யும் சாதனத்தை உருவாக்க முடியவில்லை.[2]கட்டப்பட்ட முதல் வேலை சாதனம் ஒருபுள்ளி-தொடர்பு டிரான்சிஸ்டர்1947 இல் அமெரிக்க இயற்பியலாளர்களால் கண்டுபிடிக்கப்பட்டதுஜான் பார்டீன்மற்றும்வால்டர் பிராட்டேன்கீழ் வேலை செய்யும் போதுவில்லியம் ஷாக்லிமணிக்குபெல் ஆய்வகங்கள்.மூவரும் 1956ஐப் பகிர்ந்து கொண்டனர்இயற்பியலுக்கான நோபல் பரிசுஅவர்களின் சாதனைக்காக.[3]மிகவும் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படும் டிரான்சிஸ்டர் வகைஉலோக-ஆக்சைடு-குறைக்கடத்தி புலம்-விளைவு டிரான்சிஸ்டர்(MOSFET), இது கண்டுபிடித்ததுமுகமது அட்டாலாமற்றும்டாவோன் காங்1959 இல் பெல் ஆய்வகத்தில்.[4][5][6]டிரான்சிஸ்டர்கள் எலக்ட்ரானிக்ஸ் துறையில் புரட்சியை ஏற்படுத்தியது, மேலும் சிறிய மற்றும் மலிவுக்கு வழி வகுத்ததுரேடியோக்கள்,கால்குலேட்டர்கள், மற்றும்கணினிகள், மற்ற விஷயங்களை.

பெரும்பாலான டிரான்சிஸ்டர்கள் மிகவும் தூய்மையானவைசிலிக்கான், மற்றும் சிலவற்றிலிருந்துஜெர்மானியம், ஆனால் வேறு சில குறைக்கடத்தி பொருட்கள் சில நேரங்களில் பயன்படுத்தப்படுகின்றன.ஒரு டிரான்சிஸ்டரில் ஒரு வகையான சார்ஜ் கேரியர் மட்டுமே இருக்கலாம், ஒரு ஃபீல்ட்-எஃபெக்ட் டிரான்சிஸ்டரில், அல்லது இரண்டு வகையான சார்ஜ் கேரியர்கள் இருக்கலாம்இருமுனை சந்திப்பு டிரான்சிஸ்டர்சாதனங்கள்.உடன் ஒப்பிடும்போதுவெற்றிடக்குழாய், டிரான்சிஸ்டர்கள் பொதுவாக சிறியவை மற்றும் செயல்பட குறைந்த சக்தி தேவைப்படுகிறது.சில வெற்றிட குழாய்கள் மிக அதிக இயக்க அதிர்வெண்கள் அல்லது உயர் இயக்க மின்னழுத்தங்களில் டிரான்சிஸ்டர்களை விட நன்மைகளைக் கொண்டுள்ளன.பல வகையான டிரான்சிஸ்டர்கள் பல உற்பத்தியாளர்களால் தரப்படுத்தப்பட்ட விவரக்குறிப்புகளுக்கு செய்யப்படுகின்றன.